NGKエレクトロデバイス株式会社

日本ガイシグループ

2015年1月5日 日鉄住金エレクトロデバイス株式会社からNGKエレクトロデバイス株式会社へ社名変更しました

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Japanese
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高周波パッケージ RFパワーデバイスパッケージ

高放熱用RFパワーデバイス用のパッケージとして各種放熱材料を用いた製品を提供いたします。

高周波パッケージ RFパワーデバイスパッケージ
製品の特長 ・各種材料からお客様のニーズにあった材料を選定させていただきます。
・シミュレーションでの高周波設計、応力設計により最適なデザインを提案させていただきます。
・樹脂シール、ハーメティックシールに対応可。
製品の用途 LDMOS、GaNなどのパッケージ
製品の仕様
めっき 放熱材料 その他
材料 熱伝導率(W/mK)
Ni/Au
Ni/Pd/Au
部分めっき
など
CuW
CPC
SPC
(ダイヤモンド系)
180~200
230~300
300~350
500~600
内蔵コンデンサ

製品ラインアップ

Siチップ用

Siチップ用

GaAsチップ用

GaAsチップ用

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